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SIR882ADP-T1-GE3 MOSFET 80V Vds 20V规格信息

日期:2019-08-08 13:46    发布企业: 深圳市安富世纪电子有限公司

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制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息 
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 60 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET, PowerPAK
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.04 mm 
长度: 6.15 mm 
系列: SIR 
晶体管类型: 1 N-Channel 
宽度: 5.15 mm 
商标: Vishay / Siliconix 
正向跨导 - 最小值: 60 S 
下降时间: 9 ns 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 12 ns 
工厂包装数量: 3000 
子类别: MOSFETs 
典型关闭延迟时间: 34 ns 
典型接通延迟时间: 11 ns 
零件号别名: SIR882ADP-GE3 
单位重量: 506.600 mg

深圳市安富世纪电子有限公司创建于2008年,主营原厂电子元器件,产品广泛应用于绿色照明、通讯设备、汽车电子、安防设备、数码、工控产品等领域。
 深圳市安富世纪电子有限公司是国际知名的电子元器件通路商。公司经过多年的努力,我们已成为中国最大的电子产品授权分销商之一, 拥有国内国际各类型客户一千多家,公司在台湾、香港、北京及深圳等地开设了分支机构,在马来西亚设有中转仓库. 安富世纪不断寻求业内最优秀的人才,以完善的优质服务系统,持续优化前端营销与后勤支持团队,扮演产业供应链专业合作伙伴,提供创造需求(Demand Creation)、交钥匙解决方案(Turnkey Solution)、技术支持、仓储物流与IC电子商务等增值服务,满足原始备制造商(OEM)、原始设计制造商(ODM)、电子制造服务商(EMS)及中小型企业等不同客户需求!

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